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Si8460/61/62/63
Table 5. Electrical Characteristics 1 (Continued)
(V DD1 = 2.70 V, V DD2 = 2.70 V, T A = –40 to 125 °C; applies to narrow-body SOIC package)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
1 Mbps Supply Current (All inputs = 500 kHz square wave, CI = 15 pF on all outputs)
Si8460Ax, Bx
V DD1
V DD2
—
—
4.7
4.0
7.1
6.0
mA
Si8461Ax, Bx
V DD1
V DD2
—
—
4.7
4.5
7.1
6.8
mA
Si8462Ax, Bx
V DD1
V DD2
—
—
4.7
4.3
7.1
6.5
mA
Si8463Ax, Bx
V DD1
V DD2
—
—
4.7
4.7
7.1
7.1
mA
10 Mbps Supply Current (All inputs = 5 MHz square wave, CI = 15 pF on all outputs)
Si8460Bx
V DD1
V DD2
—
—
4.7
5.5
7.1
7.7
mA
Si8461Bx
V DD1
V DD2
—
—
5.0
5.7
7.2
8.0
mA
Si8462Bx
V DD1
V DD2
—
—
5.2
5.4
7.3
7.6
mA
Si8463Bx
V DD1
V DD2
—
—
5.5
5.5
7.7
7.7
mA
Notes:
1. Specifications in this table are also valid at VDD1 = 2.6 V and VDD2 = 2.6 V when the operating temperature range is
constrained to T A = 0 to 85 °C.
2. The nominal output impedance of an isolator driver channel is approximately 85 ? , ±40%, which is a combination of the
value of the on-chip series termination resistor and channel resistance of the output driver FET. When driving loads
where transmission line effects will be a factor, output pins should be appropriately terminated with controlled
impedance PCB traces.
3. t PSK(P-P) is the magnitude of the difference in propagation delay times measured between different units operating at the
same supply voltages, load, and ambient temperature.
4. Start-up time is the time period from the application of power to valid data at the output.
14
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